작성일 : 18-04-13 17:18
이효창 표준연 선임연구원 연구 수행, '50년 난제' 플라즈마 히스테리시스 해결
 글쓴이 : happy
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어떤 물질이 거쳐 온 과거가 현재 상태에 영향을 주는 것을 의미하는 히스테리시스(Hysteresis). 국내 연구진이 플라즈마 히스테리시스의 원인을 밝혀내고, 이를 제어하는데 성공함에 따라 반도체나 디스플레이 공정상 품질 저하 문제 해결의 실마리를 제시했다.

한국표준과학연구원(원장 박상열)이효창 반도체측정장비팀 선임연구원 50여년 동안 학계에서 풀리지 않던 플라즈마의 특정 현상에 대한 문제를 해결했다고 12일 밝혔다.

플라즈마(Plasma)전자, 이온, 그리고 중성기체로 구성된 이온화된 기체를 의미한다. 고체, 액체, 기체 이외의 '제4의 물질상태'라고도 불린다.

이 물질은 핵융합에서부터 환경, 항공우주, 바이오, 의학까지 산업 전반에 걸쳐 사용되고 있다. 특히 최근에는 첨단기술의 집약체인 반도체와 디스플레이 분야에서 진가를 발휘하고 있는데, 소자의 증착, 시각, 세정 등 가공 공정 전반에 활용되어 집적도를 향상시켰기 때문이다.

하지만 완벽에 가까워 보이는 플라즈마도 예상치 못한 현상을 초래했다. 소자 공정은 그때그때 요구하는 플라즈마의 조건이 다르다.

이 과정에서 '유도결합 플라즈마 장비'의 전력 외부 변수를 조절한다. 문제는 전력을 조절해도 플라즈마의 상태가 원하는 조건으로 바뀌지 못한 채 과거에 의존하는 히스테리시스가 발생할 수 있다.

플라즈마 히스테리시스가 발생하면 소자 성능 및 수율에 치명적인 악영향을 미치지만, 지금까지는 이에 대한 원인조차 알 수 없었던 것이 사실이다. 다만 원하는 플라즈마 상태와 공정 결과가 나올 때까지 시행착오를 반복하며 설정을 변경하는 방법만이 최선이었다. 

플라즈마 히스테리시스를 해결하고자 1900년도 후반부터 수많은 이론적, 실험적 연구들이 시도됐다. 하지만 주요 원인을 밝혀내지 못해 플라즈마 물리학계의 난제로 남아있었다.

이에 이효창 선임연구원은 정밀 측정법을 이용해 이 현상의 원인이 플라즈마 내 전자에너지 분포에 의한 차이라는 사실을 이론, 모델링, 실험을 통해 최초로 입증했다. 

또 특정 비활성 기체를 주입하거나 생산장비의 외부 조건을 변경시키는 방법을 고안해 최적화된 공정에서 안정적으로 플라즈마를 사용할 수 있는 독자적인 제어기술을 개발했다.


이 기술을 통해 고품질의 소자를 안정적으로 생산하고, 장비를 최적화하는 원천기술까지 확보해서 반도체 시장의 양대 산맥인 소자·장비 산업이 동반성장할 수 있다.

이효창 선임연구원
"우리나라는 명실상부한 반도체와 디스플레이 강국이지만, 수십억원이 넘는 고부가가치 첨단장비를 전량 수입하고 있다"며 "국산화에 이바지할 수 있는 차세대 공정장비 핵심기술을 통해 소자기술에만 집중된 국내 반도체 산업의 불균형을 해소하겠다"고 말했다.

이번 연구는 응용물리분야 국제학술지
'어플라이드 피직스 리뷰(Applied Physics Reviews)'에 지난 달 초청 총설논문(Invited Review Article)으로 게재됐다.

플라즈마 히스테리시스의 증명 결과.<자료=한국표준과학연구원 제공 >
플라즈마 히스테리시스의 증명 결과.<자료=한국표준과학연구원 제공>

이효창 선임연구원이 플라즈마 측정을 하고 있다.<사진=한국표준과학연구원 제공 >
이효창 선임연구원이 플라즈마 측정을 하고 있다.<사진=한국표준과학연구원 제공>