작성일 : 18-04-12 15:40
이경진 고려대 교수-박병국 KAIST 교수팀 공동연구 , 차세대 자성메모리 상용화 위한 핵심 기술 개발
 글쓴이 : happy
조회 : 18  


차세대 메모리로 각광받는 자성메모리의 상용화를 위한 기술이 나왔다.

과학기술정보통신부(장관 유영민)는 이경진 고려대 교수와 박병국 KAIST 교수 공동연구팀자성메모리(MRAM) 구동의 핵심인 스핀전류를 효율적으로 생성하는 새로운 소재를 개발했다고 11일 밝혔다.

자성메모리는 외부 전원 공급이 없는 상태에서 정보를 유지할 수 있다. 집적도가 높고 고속 동작이 가능한 장점이 있어 차세대 메모리로 전 세계 반도체 업체들이 경쟁적으로 개발하고 있다.

자성메모리의 동작은 스핀전류를 자성소재에 주입해 발생하는 스핀토크로 이뤄지기 때문에 스핀전류의 생성 효율이 자성메모리의 소모전력을 결정하는 핵심 기술이다. 

일반적인 전류는 전자가 가지고 있는 전하(charge)의 흐름을 말하는데, 스핀전류는 전자의 또 다른 고유특성인 스핀(spin)이 이동하는 현상을 의미한다.  

연구팀은 새로운 소재구조인 강자성·전이금속 이중충에서 스핀전류를 효과적으로 생성할 수 있다는 사실을 이론과 실험으로 규명했다. 특히, 이 구조는 기존 기술과 달리 생성된 스핀전류의 스핀방향을 임의로 제어할 수 있다. 

이를 차세대 메모리로 주목받고 있는 스핀궤도토크 기반의 자성메모리에 적용할 경우, 스핀토크 효율을 높이고 외부자기장 없이 동작이 가능하다.

스핀궤도토크 자성메모리는 고속동작을 하면서도 비휘발적 특성이 있다. SRAM 대비 대기전력을 감소시켜 저전력을 필수로 요구하는 모바일, 웨어러블, 사물인터넷용 메모리로 활용가능성이 높다.  

이경진 교수
"향후 추가 연구를 통해 개발된 소재를 기반으로 하는 자성메모리 개발에 주력할 계획"이라고 밝혔다.


이번 연구에는 Stiles 미국국립표준기술연구소(NIST) 박사팀과 김갑진 KAIST 물리학과 교수팀도 참여했다.  

연구는 과기정통부 미래소재디스커버리사업의 지원을 받아 수행됐으며, 연구 결과는 네이쳐 머터리얼즈(Nature Materials)에 지난 달 19일자 온라인판에 게재됐다.